Универзитет у Београду

Петар М. Лукић

др Петар М. Лукић, редовни професор
Катедра за физику и електротехнику
Кабинет: 2; 427
Мејл адреса: plukic@mas.bg.ac.rs
Телефон: локал 207, 329; директан 3302-207

Термини за пријем студената

После предавања

Предмети

Биомедицинска инструментација и опрема
Електроника
Електроника
Електроника и биомедицинска мерења
Електротехника
Завршни предмет - Електроника
Завршни предмет - Електроника и биомедицинска мерења
Увод у основе електротехнике

Истраживачка област

Електроника, Микроелектроника, Анализа и моделовање рада микроелектронских полупроводничких направа, Дигитална електроника, Управљање у реалном времену.

Образовање, стручна спрема

Дипломирани инжењер електротехнике (1992.), Стручни испит за дипл. инж. ел. (2002.), Магистар електротехничких наука (1996.), Доктор електротехничких наука (2005.).

Публикације, признања, награде

71 објављен научни рад у престижним међународним и домаћим часописима и конференцијама, 19 радова у међународним научним часописима са SCI листе, 2 пројектована и реализована уређаја - 1 за међународно и 1 за домаће тржиште, 2 техничке иновације, 3 техничка решења; учесник на 4 вишегодишња пројекта; аутор 5 универзитетских уџбеника (аутор 1 из области Електронике; коаутор 4 из области Електротехнике за студенте Машинског факултета).

Чланства у научним и стручним организацијама

Друштво за истраживање материјала YUMRS

Библиографија

Радови у часописима са SCI листе

Žunjić Aleksandar, Milanović Dragan, Milanović Dragan, Misita Mirjana, Lukić Petar (2012). Development of a tool for assessment of VDT workplaces - A case study, International Journal of Industrial Ergonomics, 42(6), 581-591.
Elsevier, Amsterdam, ISSN: 0169-8141, 10.1016/j.ergon.2012.10.001, M22.

Šašić Rajko M., Lukić Petar, Ramović Rifat M. (2006). New analytical HFET I-V characteristics model, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 8(1), 324-328.
National Institute of Optoelectronics, ISSN: 1454-4164, M22.

Ramović Rifat M., Šašić Rajko M., Lukić Petar (2006). Novel approach to the investigation of carriers' concentration in various semiconductor structures, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 8(4), 1418-1423.
National Institute of Optoelectronics, ISSN: 1454-4164, M22.

Lukić Petar, Ramović Rifat M., Šašić Rajko M. (2005). Analytical model of electric field in heterojunction region of HFET structure, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 7(3), 1611-1617.
Natl Inst Optoelectronics, Bucharest-Magurele, ISSN: 1454-4164, M22.

Ostojić Stanko M., Šašić Rajko M., Lukić Petar, Abood Imhimmad (2014). Surrounding gate long channel nanowire MOSFET modelling-extended analysis, Physica Scripta, 89(11).
IOP Publishing Ltd, Bristol, ISSN: 0031-8949, 10.1088/0031-8949/89/11/115802, M23.

Lukić Petar, Šašić Rajko M. (2014). Modeling of carriers mobility impact on CNT FIET current-voltage characteristics, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 16(11-12), 1418-1424.
National Institute of Optoelectronics, ISSN: 1454-4164, M23.

Alkhem Abdel, Šašić Rajko M., Lukić Petar, Ostojić Stanko M. (2014). 4H-SiC vertical double implanted metal-oxide-semiconductor drift region-energy aspects of its formation and analysis, Physica Scripta, 89(1).
IOP Publishing Ltd, Bristol, ISSN: 0031-8949, 10.1088/0031-8949/89/01/015803, M23.

Abood Imhimmad, Šašić Rajko M., Ostojić Stanko M., Lukić Petar (2013). Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy, Japanese Journal of Applied Physics, 52(9).
IOP Publishing Ltd, Bristol, ISSN: 0021-4922, 10.7567/JJAP.52.094302, M23.

Abood Imhammad, Lukić Petar, Šašić Rajko M., Alkoash Abed Alkhem, Ostojić Stanko M. (2013). 4H-SiC VDMOS - drift-region saturation, channel saturation and their order of appearance, Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 7(5-6), 329-333.
Natl Inst Optoelectronics, Bucharest-Magurele, ISSN: 1842-6573, M23.

Vasić Dušan B., Lukić Petar, Lukić Vladan M., Šašić Rajko M. (2012). Analytical model of CNT FET current-voltage characteristics, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 14(1-2), 176-182.
Natl Inst Optoelectronics, Bucharest-Magurele, ISSN: 1454-4164, M23.

Alkoash Abed Alkhem, Šašić Rajko M., Ostojić Stanko M., Lukić Petar (2011). An Improvement of Analytical I-V Model for Surrounding-Gate MOSFETs, Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 8(1), 47-50.
Amer Scientific Publishers, Stevenson Ranch, ISSN: 1546-1955, 10.1166/jctn.2011.1657, M23.

Lukić Petar, Šašić Rajko M., Lončar B. B., Žunjić Aleksandar (2011). Analytical model of SiC DIMOSFET's drift region voltage impact on current-voltage characteristics, Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 5(5-6), 551-554.
Natl Inst Optoelectronics, Bucharest-Magurele, ISSN: 1842-6573, M23.

Šašić Rajko M., Lukić Petar, Ostojić Stanko M., Alkoash Abed Alkhem (2010). The influence of quantum effects on spatial distribution of carriers in surrounding-gate cylindrical MOSFETs, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 12(5), 1161-1164.
Natl Inst Optoelectronics, Bucharest-Magurele, ISSN: 1454-4164, M23.

Šašić Rajko M., Lukić Petar, Ostojić Stanko M., Ramović Rifat M. (2008). Surface carriers' concentration dynamics caused by a small alternating applied voltage, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 10(12), 3430-3435.
National Institute of Optoelectronics, ISSN: 1454-4164, M23.

Šašić Rajko M., Lukić Petar, Ramović Rifat M., Ostojić Stanko M. (2007). Threshold voltage in MOSFETs and MODFETs as a problem of nonlinear dynamics, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 9(9), 2703-2708.
National Institute of Optoelectronics, ISSN: 1454-4164, M23.

Ramović Rifat M., Lukić Petar (2004). Surface density analytical model of two-dimensional electron gas in HEMT structures, Progress in Advanced Materials and Processes, 453-454, 27-32.
Trans Tech Publications Ltd, Durnten-Zurich, ISSN: 0255-5476, 10.4028/www.scientific.net/MSF.453-454.27, M23.